在动态随机存取内存(DRAM)工艺陆续进入1X及1Y工艺领域之后,全球 DRAM 龙头韩国三星21日宣布,首次业界开发第3代10 纳米等级(1Z 纳米工艺)8GB 高性能 DRAM。这也是三星发展 1Y 纳米工艺 DRAM 之后,经历 16 个月,再开发出更先进工艺的 DRAM 产品。

据了解,新一代 1Z 纳米工艺 DRAM,三星在不使用极紫外线光刻机(EUV)的情况下打造,这显示三星进一步提高了 DRAM 的生产极限,并拉高竞争对手的生产门坎。随着 1Z 纳米工艺产品问世,并成为业界最小的内存生产节点,目前三星已准备好用新的 1Z 纳米工艺 DDR4 DRAM 满足日益成长的市场需求,生产效率比以前 1Y 纳米等版 DDR4 DRAMUL4 高 20% 以上。

三星表示,1Z 纳米工艺 8GB DDR4 DRAM 的正是大量生产时间将落在 2019 下半年,以因应下一代企业服务器需求,并有望能在 2020 年支持新高阶个人计算机。除了提供市场需求,三星还指出,跨入 1Z 纳米工艺的 DRAM 生产,将为全球 IT 加快朝向下一代 DRAM 接口,包括 DDR5、LPDDR5 和 GDDR6 等预做准备。这些具更高容量和性能的 1Z 纳米工艺产品将增强三星在市场的业务竞争力,巩固其高阶 DRAM 市场应用的领导地位,包括服务器、图形和行动装置等领域。

另市场消息指出,与一家CPU制造商就8GB DDR4模块全面验证后,三星将积极与全球客户合作,提供一系列即将面世的内存解决方案。为了满足目前的行业需求,三星计划增加主要内存生产比重。